SH8M41GZETB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SH8M41GZETB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Especificaciones:	SH8M41GZETB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	112788 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 112788 pcs

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Especificaciones de SH8M41GZETB

Número de pieza	SH8M41GZETB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	112788 pcs	Ficha de datos	SH8M41GZETB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Paquete del dispositivo	8-SOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	130 mOhm @ 3.4A, 10V
Potencia - Max	2W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SH8M41GZETBTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9.2nC @ 5V
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate, 4V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 80V 3.4A, 2.6A 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A, 2.6A

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