SCT3160KLGC11

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SCT3160KLGC11
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Especificaciones:	1.SCT3160KLGC11.pdf 2.SCT3160KLGC11.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	10163 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10163 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de SCT3160KLGC11

Número de pieza	SCT3160KLGC11	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	10163 pcs	Ficha de datos	1.SCT3160KLGC11.pdf 2.SCT3160KLGC11.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.6V @ 2.5mA	Vgs (Max)	+22V, -4V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)	Paquete del dispositivo	TO-247N
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	208 mOhm @ 5A, 18V
La disipación de energía (máximo)	103W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	398pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	42nC @ 18V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V	Descripción detallada	N-Channel 1200V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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