RZM001P02T2L

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RZM001P02T2L
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
Especificaciones:	1.RZM001P02T2L.pdf 2.RZM001P02T2L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1892161 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1892161 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de RZM001P02T2L

Número de pieza	RZM001P02T2L	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1892161 pcs	Ficha de datos	1.RZM001P02T2L.pdf 2.RZM001P02T2L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 100µA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	VMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	150mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-723	Otros nombres	RZM001P02T2LTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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