RZL025P01TR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RZL025P01TR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Especificaciones:	RZL025P01TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	260991 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 260991 pcs

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Especificaciones de RZL025P01TR

Número de pieza	RZL025P01TR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	260991 pcs	Ficha de datos	RZL025P01TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TUMT6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	61 mOhm @ 2.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V	Descripción detallada	P-Channel 12V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)

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