RZF013P01TL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RZF013P01TL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Especificaciones:	1.RZF013P01TL.pdf 2.RZF013P01TL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	631551 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 631551 pcs

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Especificaciones de RZF013P01TL

Número de pieza	RZF013P01TL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	631551 pcs	Ficha de datos	1.RZF013P01TL.pdf 2.RZF013P01TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TUMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	800mW (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	3-SMD, Flat Leads	Otros nombres	RZF013P01TLDKR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V	Descripción detallada	P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A (Ta)

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