RXR035N03TCL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RXR035N03TCL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Especificaciones:	RXR035N03TCL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	279627 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 279627 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de RXR035N03TCL

Número de pieza	RXR035N03TCL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	279627 pcs	Ficha de datos	RXR035N03TCL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	50 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-96	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.3nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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