RW1A020ZPT2R

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RW1A020ZPT2R
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Especificaciones:	RW1A020ZPT2R.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	268330 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 268330 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

8000 pcs: $0.073

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Especificaciones de RW1A020ZPT2R

Número de pieza	RW1A020ZPT2R	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	268330 pcs	Ficha de datos	RW1A020ZPT2R.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-WEMT
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	105 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	700mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Otros nombres	RW1A020ZPT2R-ND RW1A020ZPT2RTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 6V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	P-Channel 12V 2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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