RUQ050N02TR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RUQ050N02TR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Especificaciones:	RUQ050N02TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	158286 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 158286 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de RUQ050N02TR

Número de pieza	RUQ050N02TR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	158286 pcs	Ficha de datos	RUQ050N02TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	30 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.25W (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	RUQ050N02DKR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)

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