RUC002N05T116

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RUC002N05T116
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
Especificaciones:	1.RUC002N05T116.pdf 2.RUC002N05T116.pdf 3.RUC002N05T116.pdf 4.RUC002N05T116.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1138752 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1138752 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.117

10 pcs: $0.105

100 pcs: $0.059

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1000 pcs: $0.021

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Especificaciones de RUC002N05T116

Número de pieza	RUC002N05T116	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1138752 pcs	Ficha de datos	1.RUC002N05T116.pdf 2.RUC002N05T116.pdf 3.RUC002N05T116.pdf 4.RUC002N05T116.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SST3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	200mW (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	RUC002N05T116DKR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	50V
Descripción detallada	N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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