RTQ040P02TR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RTQ040P02TR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Especificaciones:	RTQ040P02TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	185743 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 185743 pcs

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Especificaciones de RTQ040P02TR

Número de pieza	RTQ040P02TR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	185743 pcs	Ficha de datos	RTQ040P02TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	50 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.25W (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	RTQ040P02DKR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.2nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)

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