RSQ020N03TR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RSQ020N03TR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Especificaciones:	1.RSQ020N03TR.pdf 2.RSQ020N03TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	208925 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 208925 pcs

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Especificaciones de RSQ020N03TR

Número de pieza	RSQ020N03TR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	208925 pcs	Ficha de datos	1.RSQ020N03TR.pdf 2.RSQ020N03TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	134 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	600mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.1nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

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