RSL020P03FRATR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RSL020P03FRATR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS
Especificaciones:	1.RSL020P03FRATR.pdf 2.RSL020P03FRATR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	251521 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 251521 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de RSL020P03FRATR

Número de pieza	RSL020P03FRATR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	251521 pcs	Ficha de datos	1.RSL020P03FRATR.pdf 2.RSL020P03FRATR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TUMT6
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	120 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads	Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.9nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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