RSF015N06FRATL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RSF015N06FRATL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	NCH 60V 1.5A POWER MOSFET
Especificaciones:	1.RSF015N06FRATL.pdf 2.RSF015N06FRATL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	439119 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 439119 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.162

10 pcs: $0.127

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Especificaciones de RSF015N06FRATL

Número de pieza	RSF015N06FRATL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	NCH 60V 1.5A POWER MOSFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	439119 pcs	Ficha de datos	1.RSF015N06FRATL.pdf 2.RSF015N06FRATL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TUMT3
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	290 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	800mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	3-SMD, Flat Leads	Otros nombres	RSF015N06FRATLCT
Temperatura de funcionamiento	150°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 1.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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