RS1G150MNTB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RS1G150MNTB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Especificaciones:	1.RS1G150MNTB.pdf 2.RS1G150MNTB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	152128 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 152128 pcs

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Especificaciones de RS1G150MNTB

Número de pieza	RS1G150MNTB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	152128 pcs	Ficha de datos	1.RS1G150MNTB.pdf 2.RS1G150MNTB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-HSOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	10.6 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta), 25W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	RS1G150MNTBTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	N-Channel 40V 15A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)

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