RS1E240GNTB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RS1E240GNTB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP
Especificaciones:	1.RS1E240GNTB.pdf 2.RS1E240GNTB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	135229 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 135229 pcs

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Especificaciones de RS1E240GNTB

Número de pieza	RS1E240GNTB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	135229 pcs	Ficha de datos	1.RS1E240GNTB.pdf 2.RS1E240GNTB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-HSOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.3 mOhm @ 24A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta), 27.4W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	RS1E240GNTBCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 24A (Ta) 3W (Ta), 27.4W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Ta)

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