RRH100P03GZETB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RRH100P03GZETB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
Especificaciones:	RRH100P03GZETB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	65508 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65508 pcs

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1 pcs: $0.686

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Especificaciones de RRH100P03GZETB

Número de pieza	RRH100P03GZETB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 10A SOP8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	65508 pcs	Ficha de datos	RRH100P03GZETB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	12.6 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	650mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	RRH100P03GZETBCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	68nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)

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