RRF015P03GTL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RRF015P03GTL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Especificaciones:	RRF015P03GTL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	475153 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 475153 pcs

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Especificaciones de RRF015P03GTL

Número de pieza	RRF015P03GTL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	475153 pcs	Ficha de datos	RRF015P03GTL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TUMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	160 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	320mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	3-SMD, Flat Leads	Otros nombres	RRF015P03GTLCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.4nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	P-Channel 30V 1.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Ta)

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