RP1A090ZPTR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RP1A090ZPTR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Especificaciones:	RP1A090ZPTR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5313 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5313 pcs

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Especificaciones de RP1A090ZPTR

Número de pieza	RP1A090ZPTR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 12V 9A MPT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5313 pcs	Ficha de datos	RP1A090ZPTR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	MPT6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	12 mOhm @ 9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	2W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-SMD, Flat Leads	Otros nombres	RP1A090ZPCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7400pF @ 6V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	59nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	P-Channel 12V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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