RND030N20TL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RND030N20TL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Especificaciones:	RND030N20TL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	190382 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 190382 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.117

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Especificaciones de RND030N20TL

Número de pieza	RND030N20TL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	190382 pcs	Ficha de datos	RND030N20TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.2V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	CPT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	870 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	850mW (Ta), 20W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	RND030N20TLTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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