RLS139TE-11

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RLS139TE-11
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 80V 130MA LLDS
Especificaciones:	RLS139TE-11.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4708 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4708 pcs

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Especificaciones de RLS139TE-11

Número de pieza	RLS139TE-11	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 80V 130MA LLDS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4708 pcs	Ficha de datos	RLS139TE-11.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	80V
Paquete del dispositivo	LLDS	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	50ns
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Otros nombres	Q2463381	Temperatura de funcionamiento - Junction	175°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 80V 130mA Surface Mount LLDS	Corriente - Fuga inversa a Vr	20nA @ 30V
Corriente - rectificada media (Io)	130mA	Capacitancia Vr, F	5pF @ 0.5V, 1MHz
Número de pieza base	RLS139

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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