RK3055ETL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RK3055ETL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Especificaciones:	RK3055ETL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5899 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5899 pcs

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Especificaciones de RK3055ETL

Número de pieza	RK3055ETL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 8A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5899 pcs	Ficha de datos	RK3055ETL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	CPT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	150 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	20W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	RK3055ETL-ND RK3055ETLTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 8A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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