RJP020N06T100

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RJP020N06T100
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Especificaciones:	1.RJP020N06T100.pdf 2.RJP020N06T100.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	136366 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 136366 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $0.151

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Especificaciones de RJP020N06T100

Número de pieza	RJP020N06T100	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	136366 pcs	Ficha de datos	1.RJP020N06T100.pdf 2.RJP020N06T100.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	MPT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	240 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	500mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-243AA	Otros nombres	RJP020N06T100TR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 4V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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