RFN3BM2SFHTL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RFN3BM2SFHTL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Especificaciones:	1.RFN3BM2SFHTL.pdf 2.RFN3BM2SFHTL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	88084 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 88084 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de RFN3BM2SFHTL

Número de pieza	RFN3BM2SFHTL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 3A TO252	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	88084 pcs	Ficha de datos	1.RFN3BM2SFHTL.pdf 2.RFN3BM2SFHTL.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	980mV @ 3A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	200V
Paquete del dispositivo	TO-252	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Tiempo de recuperación inversa (trr)	25ns
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	RFN3BM2SFHTLCT	Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252	Corriente - Fuga inversa a Vr	10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)	3A	Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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