RF08L6STE25

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RF08L6STE25
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Especificaciones:	RF08L6STE25.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	412327 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 412327 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1500 pcs: $0.058

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Especificaciones de RF08L6STE25

Número de pieza	RF08L6STE25	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	412327 pcs	Ficha de datos	RF08L6STE25.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.3V @ 800mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V
Paquete del dispositivo	PMDS	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	70ns
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	DO-214AC, SMA
Otros nombres	RF08L6STE25TR	Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS	Corriente - Fuga inversa a Vr	10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)	800mA	Capacitancia Vr, F	-
Número de pieza base	RF08L6S

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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