RE1C001UNTCL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RE1C001UNTCL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
Especificaciones:	1.RE1C001UNTCL.pdf 2.RE1C001UNTCL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	819310 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 819310 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de RE1C001UNTCL

Número de pieza	RE1C001UNTCL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	819310 pcs	Ficha de datos	1.RE1C001UNTCL.pdf 2.RE1C001UNTCL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 100µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	EMT3F (SOT-416FL)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	150mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SC-89, SOT-490	Otros nombres	RE1C001UNTCLCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7.1pF @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

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