RDX080N50FU6

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RDX080N50FU6
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM
Especificaciones:	RDX080N50FU6.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	40921 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40921 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.472

10 pcs: $1.315

100 pcs: $1.078

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Especificaciones de RDX080N50FU6

Número de pieza	RDX080N50FU6	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	40921 pcs	Ficha de datos	RDX080N50FU6.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220FM
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	28nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V	Descripción detallada	N-Channel 500V 8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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