RCX051N25

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RCX051N25
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 250V 5A TO220
Especificaciones:	RCX051N25.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	112867 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 112867 pcs

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Especificaciones de RCX051N25

Número de pieza	RCX051N25	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 250V 5A TO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	112867 pcs	Ficha de datos	RCX051N25.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220FM
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.36 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.23W (Ta), 30W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	RCX051N25CT RCX051N25CT-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	250V	Descripción detallada	N-Channel 250V 5A (Tc) 2.23W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)

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Especificaciones

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