RCD100N19TL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RCD100N19TL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Especificaciones:	RCD100N19TL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	101871 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 101871 pcs

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2500 pcs: $0.188

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Especificaciones de RCD100N19TL

Número de pieza	RCD100N19TL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 190V 10A CPT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	101871 pcs	Ficha de datos	RCD100N19TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	CPT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	182 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	850mW (Ta), 20W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	RCD100N19TLTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	52nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	190V
Descripción detallada	N-Channel 190V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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