RAQ045P01TCR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RAQ045P01TCR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Especificaciones:	RAQ045P01TCR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5736 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5736 pcs

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Especificaciones de RAQ045P01TCR

Número de pieza	RAQ045P01TCR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5736 pcs	Ficha de datos	RAQ045P01TCR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	-8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	600mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	RAQ045P01TCRCT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 6V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	12V
Descripción detallada	P-Channel 12V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)

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