R6025FNZ1C9

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	R6025FNZ1C9
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Especificaciones:	R6025FNZ1C9.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	23159 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 23159 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.627

10 pcs: $2.345

100 pcs: $1.923

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Especificaciones de R6025FNZ1C9

Número de pieza	R6025FNZ1C9	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 25A TO247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	23159 pcs	Ficha de datos	R6025FNZ1C9.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	180 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	150W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	85nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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