R6012ANJTL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	R6012ANJTL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Especificaciones:	R6012ANJTL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	49099 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49099 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $0.793

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Especificaciones de R6012ANJTL

Número de pieza	R6012ANJTL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	49099 pcs	Ficha de datos	R6012ANJTL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	LPTS
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	420 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	100W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	35nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 12A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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