R6011KNJTL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	R6011KNJTL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263
Especificaciones:	1.R6011KNJTL.pdf 2.R6011KNJTL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	86182 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86182 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de R6011KNJTL

Número de pieza	R6011KNJTL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	86182 pcs	Ficha de datos	1.R6011KNJTL.pdf 2.R6011KNJTL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	390 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	124W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	R6011KNJTLTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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