R5205CNDTL

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	R5205CNDTL
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Especificaciones:	R5205CNDTL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	68989 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68989 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.332

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Especificaciones de R5205CNDTL

Número de pieza	R5205CNDTL	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	68989 pcs	Ficha de datos	R5205CNDTL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	CPT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	320pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10.8nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	525V	Descripción detallada	N-Channel 525V 5A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)

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