| Número de pieza | MSM5118165F-60T3K-MT | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 7387 pcs | Ficha de datos | |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - | Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tecnología | DRAM | Paquete del dispositivo | 50-TSOP II |
| Serie | - | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | Otros nombres | MSM5118165F-60T3-K-7 MSM5118165F-60T3-K-7-ND MSM5118165F-60T3K MSM5118165F-60T3K-MT-ND MSM5118165F60T3KMT |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 2 (1 Year) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | DRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 50-TSOP II | Número de pieza base | MSM5* |
| Tiempo de acceso | 30ns |
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|---|---|---|
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