MD51V65165E-50TAZ0AR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MD51V65165E-50TAZ0AR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II
Especificaciones:	MD51V65165E-50TAZ0AR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5393 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 5393 pcs

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Especificaciones de MD51V65165E-50TAZ0AR

Número de pieza	MD51V65165E-50TAZ0AR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5393 pcs	Ficha de datos	MD51V65165E-50TAZ0AR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	84ns	Suministro de voltaje	3 V ~ 3.6 V
Tecnología	DRAM	Paquete del dispositivo	50-TSOP II
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	Otros nombres	MD51V65165E-50TA03A7 MD51V65165E-50TA03A7-ND MD51V65165E-50TAZ MD51V65165E-50TAZ0AR-ND MD51V65165E50TAZ0AR
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	2 (1 Year)	Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	64Mb (4M x 16)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	DRAM	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	DRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 25ns 50-TSOP II	Número de pieza base	MD51V65165E
Tiempo de acceso	25ns

Modo de transporte
Después de las ventas
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