IMN10T108

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	IMN10T108
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Especificaciones:	1.IMN10T108.pdf 2.IMN10T108.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	371272 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 371272 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.234

10 pcs: $0.184

100 pcs: $0.126

500 pcs: $0.087

1000 pcs: $0.065

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Especificaciones de IMN10T108

Número de pieza	IMN10T108	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	371272 pcs	Ficha de datos	1.IMN10T108.pdf 2.IMN10T108.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	80V
Paquete del dispositivo	6-SMD	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	4ns
embalaje	Original-Reel®	Paquete / Cubierta	SC-74, SOT-457
Otros nombres	IMN10T108DKR	Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	configuración de diodo	3 Independent
Descripción detallada	Diode Array 3 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457	Corriente - Fuga inversa a Vr	100nA @ 70V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	100mA	Número de pieza base	MN10

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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