HP8K22TB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	HP8K22TB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
Especificaciones:	1.HP8K22TB.pdf 2.HP8K22TB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	94783 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94783 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.518

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Especificaciones de HP8K22TB

Número de pieza	HP8K22TB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	30V NCH+NCH MID POWER MOSFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	94783 pcs	Ficha de datos	1.HP8K22TB.pdf 2.HP8K22TB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Paquete del dispositivo	8-HSOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max	25W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	HP8K22TBDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16.8nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET	-	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	27A, 57A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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