ES6U3T2CR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ES6U3T2CR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Especificaciones:	ES6U3T2CR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	281715 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 281715 pcs

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Especificaciones de ES6U3T2CR

Número de pieza	ES6U3T2CR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	281715 pcs	Ficha de datos	ES6U3T2CR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-WEMT
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	240 mOhm @ 1.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	700mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666	Otros nombres	ES6U3T2CRTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.4nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 1.4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Ta)

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