EMN11T2R

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	EMN11T2R
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6
Especificaciones:	1.EMN11T2R.pdf 2.EMN11T2R.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	464241 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 464241 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.16

10 pcs: $0.126

100 pcs: $0.086

500 pcs: $0.059

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Especificaciones de EMN11T2R

Número de pieza	EMN11T2R	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	464241 pcs	Ficha de datos	1.EMN11T2R.pdf 2.EMN11T2R.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	80V
Paquete del dispositivo	EMD6	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	4ns
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666
Otros nombres	EMN11T2RCT	Temperatura de funcionamiento - Junction	150°C (Max)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	configuración de diodo	2 Pair Common Cathode
Descripción detallada	Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SOT-563, SOT-666	Corriente - Fuga inversa a Vr	100nA @ 70V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	100mA	Número de pieza base	MN11

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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