1SS133T-72

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	1SS133T-72
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD
Especificaciones:	1SS133T-72.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3962 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3962 pcs

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Especificaciones de 1SS133T-72

Número de pieza	1SS133T-72	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3962 pcs	Ficha de datos	1SS133T-72.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.2V @ 100mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	80V
Paquete del dispositivo	MSD	Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	4ns
embalaje	Tape & Box (TB)	Paquete / Cubierta	DO-204AG, DO-34, Axial
Otros nombres	1SS133T72	Temperatura de funcionamiento - Junction	175°C (Max)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 80V 130mA Through Hole MSD	Corriente - Fuga inversa a Vr	500nA @ 80V
Corriente - rectificada media (Io)	130mA	Capacitancia Vr, F	2pF @ 0.5V, 1MHz
Número de pieza base	1SS133

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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