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International Rectifier (Infineon Technologies)
| Número de pieza | SPP11N80C3XKSA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 63591 pcs | Ficha de datos | SPP11N80C3XKSA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.9V @ 680µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO220-3-1 |
| Serie | CoolMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 156W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | Otros nombres | SP000683158 SPP11N80C3 SPP11N80C3IN SPP11N80C3IN-ND SPP11N80C3X SPP11N80C3XK SPP11N80C3XTIN SPP11N80C3XTIN-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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