SPP10N10L

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	SPP10N10L
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
Especificaciones:	SPP10N10L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4160 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4160 pcs

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Especificaciones de SPP10N10L

Número de pieza	SPP10N10L	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4160 pcs	Ficha de datos	SPP10N10L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 21µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PG-TO220-3-1
Serie	SIPMOS®	RDS (Max) @Id, Vgs	154 mOhm @ 8.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	50W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	SP000013849 SPP10N10LX
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	444pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10.3A (Tc)

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Especificaciones

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