SPB08P06P

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	SPB08P06P
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Especificaciones:	SPB08P06P.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4370 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4370 pcs

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Especificaciones de SPB08P06P

Número de pieza	SPB08P06P	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4370 pcs	Ficha de datos	SPB08P06P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PG-TO263-3-2
Serie	SIPMOS®	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 6.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	42W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	SP000012508 SPB08P06PT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	P-Channel 60V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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