SPB02N60C3ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	SPB02N60C3ATMA1
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
Especificaciones:	SPB02N60C3ATMA1.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4418 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4418 pcs

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Especificaciones de SPB02N60C3ATMA1

Número de pieza	SPB02N60C3ATMA1	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4418 pcs	Ficha de datos	SPB02N60C3ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.9V @ 80µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PG-TO263-3-2
Serie	CoolMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	3 Ohm @ 1.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	25W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	SP000013516 SPB02N60C3 SPB02N60C3ATMA1TR SPB02N60C3INTR SPB02N60C3INTR-ND SPB02N60C3XT SPB02N60C3XT-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Tc)

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Después de las ventas
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