IRLH5030TR2PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRLH5030TR2PBF
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Especificaciones:	IRLH5030TR2PBF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4114 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4114 pcs

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Especificaciones de IRLH5030TR2PBF

Número de pieza	IRLH5030TR2PBF	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4114 pcs	Ficha de datos	IRLH5030TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 150µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PQFN (5x6) Single Die
Serie	HEXFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	9 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.6W (Ta), 156W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	IRLH5030TR2PBFCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5185pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	94nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 100A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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