IRFHS8342TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRFHS8342TRPBF
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Especificaciones:	IRFHS8342TRPBF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	307060 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 307060 pcs

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Especificaciones de IRFHS8342TRPBF

Número de pieza	IRFHS8342TRPBF	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	307060 pcs	Ficha de datos	IRFHS8342TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.35V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (2x2)
Serie	HEXFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	16 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.1W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-VDFN Exposed Pad	Otros nombres	IRFHS8342TRPBFCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (2x2)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta), 19A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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