IRF7322D1PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRF7322D1PBF
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Especificaciones:	IRF7322D1PBF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4426 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4426 pcs

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Especificaciones de IRF7322D1PBF

Número de pieza	IRF7322D1PBF	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4426 pcs	Ficha de datos	IRF7322D1PBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	FETKY™	RDS (Max) @Id, Vgs	62 mOhm @ 2.9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	2W (Ta)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	SP001572002
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 5.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5.3A (Ta)

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