IRF6607TR1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IRF6607TR1
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Especificaciones:	IRF6607TR1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4523 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4523 pcs

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Especificaciones de IRF6607TR1

Número de pieza	IRF6607TR1	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4523 pcs	Ficha de datos	IRF6607TR1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DIRECTFET™ MT
Serie	HEXFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	3.3 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.6W (Ta), 42W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	DirectFET™ Isometric MT	Otros nombres	SP001530714
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6930pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	75nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 7V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Ta), 94A (Tc)

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Especificaciones

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