IPU80R2K8CEBKMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IPU80R2K8CEBKMA1
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Especificaciones:	IPU80R2K8CEBKMA1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	206818 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 206818 pcs

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Especificaciones de IPU80R2K8CEBKMA1

Número de pieza	IPU80R2K8CEBKMA1	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	206818 pcs	Ficha de datos	IPU80R2K8CEBKMA1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.9V @ 120µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PG-TO251-3
Serie	CoolMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	42W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Otros nombres	SP001100622
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.9A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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