IPN70R2K1CEATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IPN70R2K1CEATMA1
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
Especificaciones:	IPN70R2K1CEATMA1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	215284 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 215284 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de IPN70R2K1CEATMA1

Número de pieza	IPN70R2K1CEATMA1	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	215284 pcs	Ficha de datos	IPN70R2K1CEATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 70µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PG-SOT223
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.1 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	5W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-223-3	Otros nombres	SP001664860
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	163pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	750V
Descripción detallada	N-Channel 750V 4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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